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砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展
陈效建, 毛昆纯, 林金庭, 杨乃彬
2000, 6(3): 129-136.
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A novel 22.5° and 11.25° multi-octave MMIC phase shifter with a sharing Lange coupler
DAI Yong-sheng, CHEN Tang-sheng, YANG Li-jie, LI Hui, YU Tu-fa, CHEN Xin-yu, HAO Xi-ping, CHEN Xiao-jian, LIN Jin-ing
2000, 6(3): 137-140.
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A compatible multi-polarity control signals multi-octave 90° MMIC phase shifter with either digital or analogue without drivers
DAI Yong-sheng, CHEN Tang-sheng, YANG Li-jie, YU Tu-fa, LI Hui, CHEN Xin-yu, HAO Xi-ping, CHEN Xiao-jian, LIN Jin-ting
2000, 6(3): 141-144.
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2.5～10Gb/s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究
高建军, 袁志鹏, 吴德馨
2000, 6(3): 145-149.
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RF领域的SOI器件及低噪声放大器电路研究
海潮和, 靳伟
2000, 6(3): 150-153.
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K波段单片功率放大器
陈新宇, 蒋幼泉, 黄念宁, 陈效建
2000, 6(3): 154-156.
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采用SCFL的GaAs双模高速分频器
王国全
2000, 6(3): 157-160.
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单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器
刘训春, 陈俊, 王润梅, 王惟林, 李无瑕, 李爱珍, 陈建新, 陈意桥, 陈晓杰, 杨全魁
2000, 6(3): 161-164.
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SiNx钝化膜厚度对pHEMT的性能影响
李洪芹, 夏冠群, 孙晓玮
2000, 6(3): 165-169.
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AlGaN/GaN HEMT器件研究
曾庆明, 刘伟吉, 李献杰, 赵永林, 敖金平, 徐晓春, 吕长志
2000, 6(3): 170-173.
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GaAs的ICP选择刻蚀研究
王惟林, 刘训春, 魏珂, 郭晓旭, 王润梅
2000, 6(3): 174-177.
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InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术
李献杰, 曾庆明, 徐晓春, 敖金平, 刘伟吉, 梁春广
2000, 6(3): 178-181.
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0.1-0.3μm X射线光刻技术在GaAs器件制作中的应用
叶甜春, 谢常青, 李兵, 陈大鹏, 陈朝晖, 赵玲莉, 胥兴才, 刘训春, 张绵, 赵静
2000, 6(3): 182-185.
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MESFET的源漏电压和旁栅间距对旁栅阈值电压的影响
詹琰, 夏冠群, 赵福川, 李传海, 朱朝嵩
2000, 6(3): 186-189.
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WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET
刘伟吉, 曾庆明, 李献杰, 敖金平, 赵永林, 郭建魁, 徐晓春
2000, 6(3): 190-192.
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深亚微米栅HFET器件工艺研究
郑英奎, 和致经, 吴德馨
2000, 6(3): 193-196.
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半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响
张绵, 王云生, 李岚, 白锡巍
2000, 6(3): 197-200.
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GaAs HBT直接耦合微波单片集成电路
曾庆明, 徐晓春, 刘伟吉, 李献杰, 敖金平, 王全树, 郭建魁, 赵永林, 揭俊锋
2000, 6(3): 201-204.
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微波集成滤波器研究
张海涛, 齐臣杰, 刘理天
2000, 6(3): 205-207.
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毫微秒脉冲相关器应用的GaAs单片超高速模拟开关IC
王云生, 张绵, 赵静, 白锡巍
2000, 6(3): 208-211.
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弱耦合超晶格中的高频自维持振荡
江德生, 孙宝权
2000, 6(3): 212-217.
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氮化镓基电子与光电子器件
李效白
2000, 6(3): 218-227.
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GaAs多量子阱的光电流谱
程兴奎, 周均铭, 黄绮
2000, 6(3): 228-231.
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LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
李忠辉, 张宝顺, 杨进华, 张兴德, 王向武
2000, 6(3): 232-235.
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用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合
刘超, 李国辉, 韩德俊
2000, 6(3): 236-239.
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高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器
石家纬, 张素梅, 齐丽云, 胡贵军, 李红岩, 李永军, 刘建军, 张锋刚
2000, 6(3): 240-242.
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1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究
钱家骏, 叶小玲, 徐波, 韩勤, 陈涌海, 丁鼎, 梁基本, 刘峰奇, 张金福, 张秀兰, 王占国
2000, 6(3): 243-247.
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ECR Plasma CVD淀积光电器件介质膜的工艺模拟
谭满清, 陆建祖, 李玉鉴
2000, 6(3): 248-251.
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金刚石膜紫外光电导探测器及性能
王玉光, 费允杰, 冯克安
2000, 6(3): 252-255.
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光导型GaN/Si探测器的研制
江若琏, 席冬娟, 赵作明, 陈鹏, 沈波, 张荣, 郑有炓
2000, 6(3): 256-258.
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InGaAs/InP中离子注入和新型HPT
李国辉, 杨茹, 于民, 曾一平, 韩卫
2000, 6(3): 259-262.
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大功率半导体激光光束整形技术及其在泵浦方面的应用
薄报学, 宋晓伟, 王玲, 曲轶, 高鼎三
2000, 6(3): 263-265.
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高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响
邢启江
2000, 6(3): 266-269.
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具有穿通基区的双极晶体管光探测器的噪声特性研究
常玉春, 罗海林, 王玉琦
2000, 6(3): 270-272.
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Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究
杨茹, 李国辉, 仁永玲, 阎凤章, 朱红清
2000, 6(3): 273-275.
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940nm高功率列阵半导体激光器
曲轶, 薄报学, 高欣, 张宝顺, 张兴德, 石家纬
2000, 6(3): 276-278.
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808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性
胡贵军, 石家纬, 张素梅, 齐丽云, 李红岩, 张锋刚
2000, 6(3): 279-281.
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AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱
郑燕兰, 李爱珍, 林春, 李存才, 胡建
2000, 6(3): 282-284.
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1.3μm InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱激光器
张永刚, 陈建新, 陈意桥, 齐鸣, 李爱珍
2000, 6(3): 285-288.
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2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究
李秉臣, 彭晔, 朱洪亮
2000, 6(3): 289-292.
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915-980nm应变量子阱激光器新进展
徐遵图, 张敬明, 马骁宇, 刘素平, 刘忠顺, 方高瞻, 肖建伟, 陈良惠,
2000, 6(3): 293-296.
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用于OEIC的InP MISFET的研制
陈朝, 傅仁武, 陈松岩, 刘宝林, S.A.Malyshev
2000, 6(3): 297-300.
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二维PSD的结构和性能分析
唐九耀, 黄梅珍, 陈钰清
2000, 6(3): 301-304.
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