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硅基GaN外延晶体学位相关系和生长机理研究
叶志镇, 张昊翔, 赵炳辉, 王宇, 刘红学
2000, 6(4): 305-308.
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砷化镓单晶的等效微重力生长
徐岳生, 李养贤, 刘彩池, 王海云, 郝秋艳
2000, 6(4): 309-311.
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LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究
赖占平, 齐德格, 高瑞良, 杜庚娜, 刘晏凤, 周春锋, 高峰
2000, 6(4): 312-315.
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VInH4在InP材料中的影响
孙聂枫, 杨光耀, 吴霞宛, 曹立新, 赵权, 郭维廉, 赵有文, 孙同年
2000, 6(4): 316-320.
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张应变GaAs层引入使InAsInP量子点有序化排列的机理研究
殷景志, 王新强, 李献杰, 杜国同, 张树人
2000, 6(4): 321-324.
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Some problems in Hall measurement of SI-GaAs
LI Cheng-ji, LI Yun-yan, WANG Wan-nian, HE Hong-jia
2000, 6(4): 325-327.
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砷化镓扩散长度的变加速电压束感生电流法测量
王万年, 李成基, 李韫言
2000, 6(4): 328-331.
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空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察
李韫言, 蔚燕华, 李成基
2000, 6(4): 332-334.
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GaAs研磨片化学腐蚀均匀性的分析
郑红军, 卜俊鹏, 尹玉华, 白玉柯
2000, 6(4): 335-337.
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在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
姚振钰, 贺洪波, 柴春林, 刘志凯, 杨少延, 张建辉, 廖梅勇, 范正修, 秦复光, 王占国, 林兰英
2000, 6(4): 338-341.
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化合物半导体近红外光荧光测试中的布里渊散射
丁国庆
2000, 6(4): 342-345.
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Photoluminescence related to the two dimensional electron gas in modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures
SHEN Bo, ZHANG Rong, ZHENG You-dou
2000, 6(4): 346-349.
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NH3-MBE生长极化场二维电子气材料
孙殿照, 刘宏新, 王军喜, 王晓亮, 刘成海, 曾一平, 李晋闽, 林兰英
2000, 6(4): 350-353.
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Au/（Si/SiO2）/p型Si结构的可见电致发光研究
马书懿, 王印月, 刘雪芹
2000, 6(4): 354-356.
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稀土La、Nd掺杂硅基薄膜光致发光特性
王水凤, 曾宇昕, 元美玲, 徐飞, 程国安
2000, 6(4): 357-360.
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La、O+双注入硅基薄膜室温可见光致发光研究
元美玲, 曾宇昕, 徐飞, 王水凤, 程国安
2000, 6(4): 361-364.
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SI-GaAs晶片的PL mapping表征技术
李光平, 汝琼娜, 李静, 何秀坤, 王寿寅, 陈祖祥
2000, 6(4): 365-368.
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热退火对低温分子束外延GaAs材料深中心的影响
张砚华, 范缇文, 陈延杰, 吴巨, 陈诺夫, 王占国
2000, 6(4): 369-371.
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YSZ薄膜的制备及应用
潘礼庆, 王岭, 孙加林, 洪彦若
2000, 6(4): 372-376.
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Hydrogen induced changes on hydride vapor phase epitaxy of GaN growth
GU Shu-lin, ZHANG Rong, SHI Yi, ZHENG You-dou, ZHANG Ning, KUECH T F
2000, 6(4): 377-380.
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Magnetotransport investigation of modulation-doped AlxGa1-xN/GaN heterostructures
ZHENG Ze-wei, SHEN Bo, ZHANG Rong, GUI Yong-sheng, JIANG Chun-ping, MA Zhi-xun, ZHENG Guo-zhen, GUO Shao-ling, SHI Yi, HAN Ping, ZHENG You-dou
2000, 6(4): 381-384.
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掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响
李述体, 莫春兰, 李鹏, 王立, 熊传兵, 彭学新, 江风益
2000, 6(4): 385-387.
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偏振差分反射谱(RDS)测试系统
万寿科, 陈涌海, 王占国
2000, 6(4): 388-392.
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三元GaxIn1-xP和四元(AlxGa1-x)0.51In0.49P合金拉曼光谱研究
吕毅军, 高玉琳, 郑健生, 李志锋, 蔡炜颖, 王晓光
2000, 6(4): 393-396.
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用低温Raman散射光谱研究不同处理的CdZnTe表面
裴慧元, 方家熊
2000, 6(4): 397-402.
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GexSi1-x/Si中应变的会聚束电子衍射研究
范缇文, 吴巨, 王占国
2000, 6(4): 403-405.
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白色LED照明光源
方志烈, 叶其春, 李学勇
2000, 6(4): 406-407,412.
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CuO-ZnO异质结半导体陶瓷气敏机理的研究
胡英, 周晓华, 魏红军
2000, 6(4): 408-412.
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计算机程序控制电晕极化系统
石志文, 应志春, 陈廷杰, 应冉沂, 吴荣汉
2000, 6(4): 413-415.
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Electron beam/optical stepper mixes and matches lithography
LIU Ming, CHEN Bao-qin, LIU Xiao-wei, WEI Lin-peng, WU De-xin
2000, 6(4): 416-419.
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反应离子刻蚀工艺仿真模型的研究
陆建祖, 魏红振, 李玉鉴, 张永刚, 林世鸣, 余金中, 刘忠立
2000, 6(4): 420-424.
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Si基GaN上的欧姆接触
赵作明, 江若琏, 陈鹏, 席冬娟, 沈波, 郑有炓
2000, 6(4): 425-427.
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沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响
龚恒翔, 阎志军, 杨映虎, 王印月
2000, 6(4): 428-431.
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硅基平面波导材料的制作
吴远大, 张乐天, 邢华, 韦占雄, 郑伟, 刘国范, 张玉书
2000, 6(4): 432-435.
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固体C70/GaAs接触的界面态及整流特性
陈开茅, 孙文红, 武兰青, 张伯蕊, 吴恩, 孙允希, 乔永平
2000, 6(4): 436-439.
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激光能量对碲镉汞注入样品退火效果的影响
张燕, 李向阳, 方家熊
2000, 6(4): 440-443.
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全自动在片直流测试技术对提高GaAs MMIC批量生产成品率的作用
吴振海, 郝西萍, 蒋幼泉, 陈新宇
2000, 6(4): 444-447.
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光纤光栅器件的长期稳定性及其寿命预期
陈莉
2000, 6(4): 448-452.
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一种新型的超导磁场单晶炉的研制
吴金良, 钟兴儒, 陈诺夫, 田金法, 林兰英
2000, 6(4): 453-456.
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