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硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜
孙振翠, 曹文田, 王书运, 薛成山, 伊长虹
2008, 14(5): 853-858.
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脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器
魏星, 乔忠良, 薄报学, 陈静, 张苗, 王曦
2008, 14(5): 859-863.
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气-液-固法在半导体纳米线生长中的应用
彭英才, 赵新为
2008, 14(5): 864-870.
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深亚微米SOAN MOSFETs的高温应用分析与结构优化
杨媛, 高勇, 巩鹏亮, 刘静
2008, 14(5): 871-876.
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PDMS氧等离子体长效活性表面处理及与Si的键合
薛向尧, 张平, 黎海文, 刘永顺, 吴一辉
2008, 14(5): 877-882.
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反馈部件的性能参数对热电型气体传感器的影响
黄琥, 栾伟玲, 毛顺杰, 涂善东
2008, 14(5): 883-888.
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基于InP衬底的应变和应变补偿的InGaAs/InAlAs材料的高分辨X射线衍射分析
梅斌, 徐刚毅, 李爱珍, 李华, 李耀耀, 魏林
2008, 14(5): 889-894.
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LaNiO3底电极上的BiFeO3薄膜的铁电性能
刘红日, 王秀章
2008, 14(5): 895-899.
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硫化温度对CuInS2吸收层薄膜微结构的影响
阎有花, 刘迎春, 方玲, 赵海花, 李德仁, 卢志超, 周少雄
2008, 14(5): 900-906.
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柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应
苏鼎, 张万里, 蒋洪川, 汤如俊, 彭斌
2008, 14(5): 907-910.
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衬底温度对射频磁控溅射制备HfO2薄膜结构的影响
闫丹, 吴平, 邱宏, 俞必强, 赵云清, 张师平, 吕反修
2008, 14(5): 911-914.
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单光子源低密度长波长InAs/GaAs量子点的制备
方志丹, 崔碧峰, 黄社松, 倪海桥, 邢艳辉, 牛智川
2008, 14(5): 915-918.
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基于原子力显微技术的PZT微阵列图形铁电性能
徐国敏, 赵高扬, 张卫华, 邓小翠, 谭红, 何力
2008, 14(5): 919-922.
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多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析
李睿, 王俊, 孔蔚然, 马惠平, 浦晓栋, 莘海维, 王庆东
2008, 14(5): 923-926.
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Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷
蔡小五, 海潮和, 王立新, 陆江, 刘刚, 夏洋
2008, 14(5): 927-930.
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PZT/PVDF复合材料的制备及介电性能
岳鹏, 郑正奇, 张洁, 王连卫, 孙大志, 张兰兰
2008, 14(5): 931-934.
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蛤蜊贝壳霰石片纤维交错纳米结构
陈斌, 孙士涛, 彭向和
2008, 14(5): 935-938.
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胫骨羟基磷灰石片平行纳米结构
陈斌, 孙士涛, 彭向和
2008, 14(5): 939-942.
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