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氧化增强注氧隔离工艺制备绝缘体上的硅锗
陈志君, 张峰, 王永进, 金波, 陈静, 张正选, 王曦
2006, 12(1): 1-4.
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500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si0.5Ge0.5层
赵雷, 左玉华, 李传波, 成步文, 罗丽萍, 余金中, 王启明
2006, 12(1): 5-9.
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SnO2纳米棒的固相反应制备与表征
赵鹤云, 柳清菊, 吴兴惠, 赵怀志
2006, 12(1): 10-14.
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0.94[(Na0.96-xKxLi0.04)0.5Bi0.5]TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3无铅压电陶瓷的压电介电特性
盖志刚, 王矜奉, 明保全, 杜鹃, 郑立梅
2006, 12(1): 15-18.
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Ba添加方式对PZN基陶瓷介电性能和结构的影响
云斯宁, 王晓莉
2006, 12(1): 19-22.
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高温超导薄膜YBa2Cu3O6.5正常态电荷传输特性研究
杨凯, 辜承林
2006, 12(1): 23-26.
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温度对电沉积的SnS薄膜的结构和性能的影响
陈岩清, 程树英
2006, 12(1): 27-30.
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固相合成锰酸锂的反应动力学研究
李智敏, 仇卫华, 曹全喜
2006, 12(1): 31-34.
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化合物SmCo5.85Si0.90的磁性及电子结构研究
张昌文, 李华, 董建敏, 王永娟, 郭永权, 李卫
2006, 12(1): 35-39.
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基于非晶软磁层的巨磁电阻单元性能研究
张祖刚, 张万里, 文岐业, 唐晓莉, 张怀武
2006, 12(1): 40-44.
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Si衬底GaN基LED理想因子的研究
刘卫华, 李有群, 方文卿, 周毛兴, 刘和初, 莫春兰, 王立, 江风益
2006, 12(1): 45-48.
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镍钛合金超弹性支架抗压缩性能的实验与分析
高振宇, 梁栋科, 齐民, 杨大智, 王伟强
2006, 12(1): 49-53.
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喷射沉积硅铝电子封装材料的组织与性能
田冲, 陈桂云, 杨林, 赵九洲
2006, 12(1): 54-58.
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基于p型多孔硅的一维光子晶体的微结构分析
包晓清, 钱敏, 王连卫, 朱自强
2006, 12(1): 59-62.
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MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜
沈文娟, 王俊, 王启元, 段垚, 曾一平
2006, 12(1): 63-66.
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基于BSIM3V3的部分耗尽SOIMOSFET解析模型
李瑞贞, 韩郑生
2006, 12(1): 67-70.
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浮雕型全息光栅诱导液晶分子取向排列的研究
黄翀, 周学平, 欧阳艳东, 吴建宏, 黄远明
2006, 12(1): 71-75.
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聚(苯撑乙炔-苯并噻二唑)共聚物光伏器件性能
牛俊峰, 赵军子, 曾翎, 毛健卫, 蒋家新, 路胜利
2006, 12(1): 76-80.
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