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SOI技术的新进展
林成鲁
2001, 7(1): 1-6.
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一种用于FIA系统的微型泵
丁辛芳, 刘岩海, 刘新宁, 何云爽
2001, 7(1): 7-10.
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具有覆盖层的Co/Cu/Co三明治的巨磁电阻效应研究
潘强, 沈鸿烈, 祝向荣, 李铁, 沈勤我, 邹世昌
2001, 7(1): 11-15.
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PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗
贺连星, 李承恩, 陈廷国, 王志勇, 晏海学
2001, 7(1): 16-20.
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La(BO3,PO4):Ce,Tb,Gd的发光研究
丁士进, 张卫, 徐宝庆, 王季陶
2001, 7(1): 21-26.
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Luminescence of Pb2+-based aggregates in Pb-doped CsI crystals
FENG Xi-qi, ZHAO Jian-lin, M. Nikl, S. Kappam, K. Nitsch
2001, 7(1): 27-30.
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用神经网络提高SO2传感器的检测速度
朱长纯, 于丽娟, 魏培永, 韦玮, 刘君华, 刘光泗
2001, 7(1): 31-34.
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等离子体处理三乙醇胺涂膜QCM传感器对乙醛的质量响应特性研究
黄敬良, 颜永红, 尹霞, 唐学明, 龚磊
2001, 7(1): 35-40.
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Zn2SnO4-LiZnVO4系厚膜湿敏元件的制备和性能研究
傅刚, 陈环, 陈志雄, 张进修
2001, 7(1): 41-44.
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纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性
徐刚毅, 王天民, 王金良
2001, 7(1): 45-50.
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Au量子点I-V特性的计算机模拟
周继承, 何红波, 李义兵
2001, 7(1): 51-53.
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氧分压对动态离子束辅助沉积合成的氧化钛膜的影响
王向晖, 张峰, 李昌荣, 郑志宏, 陈莉芝, 王惠民, 柳襄怀
2001, 7(1): 54-58.
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等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定
胡恒升, 张敏
2001, 7(1): 59-62.
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Ni80Fe20/Mo纳米多层膜的互扩散
王文雍
2001, 7(1): 63-68.
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γMn-Cu合金在(γ+α)亚稳互溶区时效过程Spinodal分解的热力学判据
邓华铭, 张骥华, 陈树川
2001, 7(1): 69-72.
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SiO2-AlN复合材料的介电性能—温度特性和频率特性
吴洁华, 李包顺, 李承恩, 郭景坤
2001, 7(1): 73-76.
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二维纳米点阵列的主方程模拟
何红波, 周继承, 胡慧芳, 李义兵
2001, 7(1): 77-80.
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用于GaSb/AlGaAsSb器件制备的新型化学腐蚀液研究
简贵胄, 郑燕兰, 林春, 李爱珍, 张永刚
2001, 7(1): 81-84.
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Au/In等温凝固焊接失效模式研究
王铁兵, 施建中, 谢晓明
2001, 7(1): 85-89.
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TQFP器件的分层开裂和PECVD SiNx薄膜对TQFP器件防水性能的影响
赵润涛, 王旭洪, 陈翔, 徐立强
2001, 7(1): 90-94.
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高速光纤通信用定时恢复判决电路
詹琰, 王永生, 赵建龙, 夏冠群, 孙晓玮, 范恒
2001, 7(1): 95-97.
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研磨倾斜角度对扩展电阻测试量值的影响
吴晓虹, 闵靖
2001, 7(1): 98-100.
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TiO2基氧化物半导体氧敏传感器的研究开发进展
潘海波, 陈耐生, 林德娟, 沈水发, 黄金陵
2001, 7(1): 101-106.
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γ-Fe2O3超微粉的制备及气敏掺杂效应
牛新书, 徐荭, 王新军
2001, 7(1): 107-111.
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