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多晶硅材料制备中施主杂质磷的模拟计算研究
宋东明, 谢刚, 马卓煌, 陈丽娟, 张艺, 侯彦青
2013, 19(3): 105-108.
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离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究
陈明, 毕大炜, 黄辉祥, 邹世昌, 张正选
2013, 19(3): 109-113.
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氧化锆氧传感器多孔Pt/YSZ电极的制备与表征
韩庆, 冯涛, 夏金峰, 胡劲
2013, 19(3): 114-118.
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光学MEMS技术及其光通信应用
吴亚明
2013, 19(3): 119-123.
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物联网在检验检疫物流监管中的应用
董超, 谢琼, 潘晓毅, 胥彦翔, 陈渊, 徐恺
2013, 19(3): 124-127.
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先栅和替代栅方案中的高k/金属栅堆叠
Sree Kesapragada, Rongjun Wang, Dave Liu, Gaojun Liu, Zhigang Xie, Zhenbin Ge, Haichun Yang, Yu Lei, Xinliang Lu, Xianmin Tang, Jianxin Lei, Millen Allen, Srinivas Gandikota, Kevin Moraes, Steven Hung, Naomi Yoshida, Chorng-Ping Chang
2013, 19(3): 128-130.
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提高CMP抛光垫修整性能的方法
S. Dhandapani, C. C. Garretson, S. S. Chang, J. G. Fung, S. Tsai
2013, 19(3): 131-135.
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掩膜对不准测量用的电压对比度测试结构
Oliver D. Patterson, Stephen R. Fox, Roland Hahn
2013, 19(3): 136-141.
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一种减小塑封对带隙基准电压漂移的方法
张爱霞, 李佳佳
2013, 19(3): 142-143.
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中国半导体设计与制造携手走强
曹明霞
2013, 19(3): 144-146.
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memsstar以领先工艺把握MEMS机遇
王懿
2013, 19(3): 147-148.
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2012年中国IC设计、制造、封装企业TOP 10
2013, 19(3): 149-150.
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Cadence+tensilica=IP工厂
2013, 19(3): 151-151.
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NXP首席执行官Rick Clemmer:中国是NXP最为关键的市场
2013, 19(3): 152-153.
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Globalpress电子高峰论坛:成熟、先进、未来技术的交响乐
2013, 19(3): 154-156.
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