摘要: 称为背照式(BSI)CIS的新颖CIS比传统的前照明(FI)CIS对光更敏感,且噪声小。BSI刻蚀中的关键参数是侧壁剖面角、微沟槽形成和硅损宏观负载效应。本文中,采用Applied Centura^®AdvantEdge^TM Mesa^TM刻蚀室开发BSI CSI刻蚀工艺。调整C₄F₈流量可实现侧壁角的目标剖面。调整压力使BSI焊盘底部处微沟槽形成最小。对于硅损的宏观负载,DC(Div.Cap)和MRAD(Motorized Radial Assembly Dial)调整能实现最小的硅损失,有良好的均匀性。