摘要: 采用化学气相沉积(CVD)方法在有金催化层的硅片上制备了SnO₂纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射仪(XRD)对其形貌及结构进行了表征,分析了蒸发温度及氧气流量对SnO₂相貌的影响。对比了SnO₂纳米线在室温及150℃条件下的氢气敏感特性,结果表明SnO₂纳米线在150℃下对氢气的灵敏度高达13.3,响应及回复时间≤5 s,表现出了良好的氢敏性能。