摘要: 本文描述了一个在晶圆区产生低温等离子体的新型等离子源(RLSA^TM)。低Te特性是因将晶圆区等离子与功率淀积区分离而产生的。在刻蚀高深宽比结构中,该等离子源显示提高了刻蚀性能,减少了微负载效应和ARDE效应,有助于缓解在先进finFET FEOL刻蚀应用中挑战。