摘要: 硅锗（SiGe）合金因其高空穴迁移率、优异的抗负偏压温度不稳定性（NBTI）性能以及灵活的阈值电压可调性，在5 nm及以下节点的p型场效应晶体管（pFETs）中展现出重要的应用前景，成为突破传统硅基CMOS器件物理极限的关键材料。然而，高k/SiGe栅极堆叠界面由于Si与Ge氧化活性差异，容易形成氧化锗（GeO_X）与锗富集层（Ge-rich layer, GRL），导致界面态密度（D_it）过高，严重制约了SiGe器件性能的充分发挥。目前，尽管针对界面钝化的研究已取得一定进展，但现有技术仍存在明显局限：Si-cap技术难以适配高Ge含量的SiGe材料，且在3D器件中的应用能力较弱；Ge清除法依赖退火条件；Al/S/N元素钝化对热预算敏感，难以全面满足先进器件的需求。从SiGe器件的发展现状出发，系统阐述了高k/SiGe界面质量调控的必要性，重点综述了主流界面钝化技术的最新研究进展。基于现有瓶颈，提出了多种工艺结合、强化可靠性的未来发展方向，为推进高迁移率 SiGe 技术的规模化国产应用提供了理论指导与技术参考。