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高精度、选择性原子层刻蚀技术研究进展
欧阳亦, 颜光辉, 陈国祥, 黄高山, 陈相仲, 包志豪, 石建军, 左雪芹, 梅永丰
2025, 31(3): 145-159. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0022
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钌在纳米尺度集成电路互连中的应用与挑战
马兰, 吴小晗, 丁士进
2025, 31(3): 160-171. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0023
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大气压粉末原子层沉积研究进展
颜光辉, 黄高山, 陆雪强, 左雪芹, 糜冬冬, 陈国祥, 欧阳亦, 陈相仲, 包志豪, 梅永丰, 石建军
2025, 31(3): 172-188. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0021
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基于原子层沉积技术的硼化物生长研究进展
陈鹏宇, 温新涛, 胡之琛, 奚斌
2025, 31(3): 189-199. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0018
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原子层沉积反应器的数值模拟研究进展
张杭波, 严颖萍, 王林林, 陈国昊, 平慧慧, 庄黎伟
2025, 31(3): 200-212. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0019
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原子层沉积在光电子器件制备领域的应用进展
董策, 姜宁, 王冠然, 王佳伟, 任舰洋, 谢思雨, 李野, 段羽
2025, 31(3): 213-230. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0017
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高稳定性In2O3/InGaZnO双层沟道薄膜晶体管
鞠姗姗, 李锦雄, 陆磊, 张盛东, 王新炜
2025, 31(3): 231-238. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0024
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基于InCaOx/HfAlOx的高性能低压操作FET的构筑及其在逻辑反相器中的应用
夏渝沣, 何刚
2025, 31(3): 239-246. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0020
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基于DFT的Cu/SiO2衬底选择性原子层沉积前驱体筛选
葛毅骜, 李博轩, 文艳伟, 曹坤, 单斌, 陈蓉
2025, 31(3): 247-260. DOI: 10.20027/j.gncq.2025.0025
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